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华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计
 http://www.ezkaoyan.com   2006-4-17     打印文本   加入收藏夹

第一篇MOS 逻辑集成电路

MOS晶体管工作原理
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理

1.2 MOS晶体管的阀值电压分析

1.3 MOS晶体管的电流方程

1.4 MOS瞬态特性

MOS器件按比例缩小
2.1 按比例缩小理论

2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响

2.3 不能按比例缩小的参数的影响

2.4 VLSI发展的实际限制

CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤

3.2 CMOS IC 工艺流程

3.3 CMOS IC 中的寄生效应

CMOS反相器和CMOS传输门
4.1 CMOS反相器的直流特性

4.2 CMOS 反相器的瞬态特性

4.3 CMOS 反相器的功能

4.4 CMOS反相器设计

4.5 CMOS和NMOS电路性能比较

4.6 CMOS传输门

CMOS静态逻辑电路设计
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点

5.2 CMOS与非门的分析

5.3 CMOS或非门的分析

5.4 CMOS与非门与或非门的设计

5.5 组合逻辑电路的设计

5.6 类NMOS电路

5.7 传输们逻辑电路

5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列

动态和时序逻辑电路设计
6.1 动态逻辑电路的特点

6.2 预充—求值的动态CMOS电路

6.3 多米诺(Domino)CMOS电路

6.4 时钟CMOS(C2MOS)

6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路

6.6 CMOS触发器

6.7 时序逻辑电路

输入、输出缓冲器
7.1 输入缓冲器

7.2 输入保护电路

7.3 输出缓冲器

7.4 脱片输出驱动级的设计

7.5 三态输出和双向缓冲器

MOS存储器
8.1 DRAM

8.2 SRAM

8.3 ROM和PLD

MOS IC的版图设计
9.1 VLSI的设计方法

9.2 门阵列和标准单元设计方法

9.3 版图设计

SOICMOS简介
10.1 SOI CMOS工艺

10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性

10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应

BiCMOS电路
11.1 MOS和双极型器件性能比较

11.2 BiCMOS工艺和器件结构

11.3 BiCMOS逻辑门的设计

11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较

11.5 BiCMOS电路实例

MOS 逻辑集成电路（续）
nMOS逻辑集成电路
6-1 电阻负载MOS倒相器

6-2 E/E MOS 倒相器

6-3 自举负载MOS 倒相器

6-4 E/D MOS 倒相器

6-5 静态MOS电路

CMOS集成电路
7-1 CMOS 倒相器

7-2 CMOS传输门

7-3 静态CMOS 电路

7-4 CMOS 门电路的设计

7-5 CMOS电路中的锁定效应

动态和准静态MOS电路
8-1 栅电容的电荷存储效应

8-2 动态MOS倒相器

8-3 动态MOS电路

8-4 准静态MOS触发器

8-5 动态和准静态CMOS电路

MOS集成电路的版图设计
9-1 MOS集成电路的工艺设计

9-2 MOS集成电路版图设计

9-3 MOS集成电路版图设计举例

MOS大规模集成电路
10-1 LSI电路中的CAD技术

10-2 HMOS技术

10-3 MOS存储器

10-4 微处理器中的算术逻辑单元

10-5 半定制逻辑电路

模拟集成电路
模拟集成电路中的特殊元件
11-1 横向pnp管

11-2 纵向pnp管

11-3 超增益晶体管

11-4 隐埋齐纳二极管

11-5 集成电路中的电容器

11-6 薄膜电阻器

模拟集成电路中的基本单元电路
12-1 差分放大器

12-2 恒流源电路和有源负载

12-3 基准源电路

12-4 模拟开关

集成运算放大器
13-1 运算放大器的基本概念

13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿

13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性

13-4 μA741通用型运算放大器

13-5 提高集成运算放大器性能的途径

模拟集成电
14-1 集成电压

14-2 D/A转换器

14-3 A/D转换器

14-4 MOS模拟集成电路

模拟集成电路的版图设计
15-1 模拟集成电路版图设计特点

15-2 模拟集成电路中的相容技术

15-3 μA741运算放大器版图设计分析

2004.7.7

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